抗彎強度:95Mpa 熱膨脹系數(25℃-1200℃):1~2(10-6/K)
熱導率(常溫):35W/mk 最高使用溫度:空氣900℃、真空1600℃、惰性氣氛1800℃
常溫電阻率:>1014Ω.cm
產品優勢
● 采用國際先進工藝高溫氮化硼原料,確保材料純度及耐高溫性能。
● 材料致密度高,抗氧化性能好,導熱性好,加工精度高,尤其適用于半導體、微電子等設備配件的用途。
● 具備高耐熱性、低熱膨脹系數、良好的抗熱震性能以及良好的耐腐蝕性。
典型應用
● 應用于半導體行業的擴散源、離子注入設備備件等。
● MOCVD絕緣板,半導體單晶及III-V族化合物合成用的坩堝、基座等。
● 應用于分子束外延,原位合成GaAs 、InP 、GaP單晶的LEC系列坩堝等。
專業服務
● 免費為客戶提供樣品,為您提供滿意的質量和服務。
● 接受試銷訂單,可以寄送單個樣品,并提供大宗訂單折扣。
● 設備先進,加工精度高,尺寸規格多,可按照客戶要求定制。
● 100%的產品保證,及時跟進客戶的反饋意見;海外訂單,如果有任何質量問題,請提供照片顯示問題通過電子郵件,我們將根據實際情況提供替代品。
我司根據客戶要求,提供各種規格氮化硼制品件、精密件(嚴格按客戶圖紙或來樣加工)。歡迎來電詳詢! 聯系電話:0573-89104988 15721595983(宋經理)