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納米氮化鋯粉-納米氮化物粉體
技術參數(shù)
| 產品歸類 | 型號 | 平均粒徑 （nm） | 純度 （%） | 比表面積 （m2/g） | 體積密度 （g/cm3） | 晶型 | 顏色 |
| 亞微米級 | CW-ZrN-002 | 800 | >99.6 | 9.16 | 4.78 | 立方 | 淺黃色 |
| 加工定制 | 根據(jù)客戶需求適當調整產品純度及粒度 | ||||||
主要特點
超細氮化鋯粉通過可變電流激光離子束氣相法制娑嗤?，粉體純度高，粒徑小，比表面積大，表面活性高，用于增韌陶瓷以及耐高溫機構陶瓷。理論密度7.09g/cm3。ZrN是一種難熔硬質化合物，分解溫度高，化學穩(wěn)定性好，所以具有良好的耐高溫、耐腐蝕、耐磨性能，是良好的高溫結構材料、超硬工具材料及表面保護材料，同時ZrN薄膜具有人們喜愛的較低亮度的金黃顏色，適用于氮化鈦不太適合涂覆的領域，具有高抗腐蝕性能，良好的光滑表面以及延展性。應用于五金、建材、衛(wèi)浴等日用五金工件上面。己在建筑裝飾，家電，手表，首飾，手機等領域應用，從而成為裝飾鍍膜行業(yè)高度重視研究對象。
應用領域
1納米復合硬質刀具，硬質合金；
2高溫陶瓷導電材料，耐熱耐磨材料；
3彌散強化材料，主要應用在五金、建材、衛(wèi)浴等日用五金工件上面應用方向。
技術支持
可以提供納米氮化鋯、超細氮化鋯在硬質合金、粉末冶金等中的應用技術支持，具體應用咨詢請與銷售部人員聯(lián)系。
包裝儲存
本品為惰氣包裝，應密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜長久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團聚，影響分散性能和使用效果。
納米氮化鋯粉-納米氮化物粉體 http://www.cwnano.com.cn/product-item-57.html
上海技物所在半導體單納米線光電特性研究方面取得進展字號
近年來，半導體納米線因為其準一維的結構特征，在能源、生物、微電子、微機械等眾多領域受到廣泛的關注。特別是以納米線作為功能材料的光電器件，如光電探測器、太陽能電池等已經展現(xiàn)出一定的優(yōu)勢。在光電轉換的核心要素中，納米線由于陷光效應可以在低占空比條件下實現(xiàn)高效光吸收，而其中的電子（空穴）遷移率等也逐漸接近甚至高于相應體材料的值；相對而言，載流子壽命尤其是少子壽命已經成為限制納米線光電器件性能進一步提升的關鍵參數(shù)。與此同時，功能性的n型或p型摻雜是實現(xiàn)納米線電子、光電效能的基本條件之一，但受這類材料高比-表面積的影響，摻雜可能偏離預期的電子學目標，因此這方面微觀機制的澄清將有益于納米線走向實際應用。
中科院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室博士研究生夏輝等在合作導師的指導下，使用聚合物包裹的砷化鎵（GaAs）納米線，并利用基于導電原子力顯微術的納米光電子學研究平臺，實現(xiàn)了對單根外延納米線的測量。該實驗方案相對于常用的單納米線器件測量方法，避免了光刻、離子束觀測等器件制作工藝對半導體納米線的損傷，因而更利于考察原生納米線的本征性質。
區(qū)別于常規(guī)薄膜和體材料，他們在GaAs納米線中觀察到了因n型摻雜帶來的奇異線性光電流現(xiàn)象。研究人員通過建立考慮納米線結構特征的數(shù)值模型，復現(xiàn)了不同摻雜條件下單納米線的光電流-偏壓曲線，并從中提取了單納米線的少子（空穴）壽命。進一步的比較分析發(fā)現(xiàn)，由于表面電子態(tài)的大量存在，在相當濃度的摻雜條件下（n=-3），n型雜質釋放的電子可能傾向于占據(jù)表面態(tài)，從而成為光生空穴的復合通道。
這一機制澄清了半導體納米線中少子壽命顯著低于薄膜材料體系的微觀起源，并有助于納米線表面特性的控制和摻雜納米線光電性能的優(yōu)化應用。
該項工作得到了973項目、國家自然科學基金、中國科學院國際合作團隊計劃的資助。相關論文發(fā)表在最近一期的ACS Nano上(6卷，6005-6013) 。