點(diǎn)擊圖片查看原圖
納米鈷粉-納米單質(zhì)粉體
技術(shù)參數(shù)
| 產(chǎn)品歸類 | 型號(hào) | 平均粒徑 （nm） | 純度 （%） | 比表面積（m2/g） | 體積密度 （g/cm3） | 晶型 | 顏色 |
| 納米級(jí) | CW-Co-001 | 30 | >99.9 | 40.3 | 0.19 | 球形 | 黑色 |
| 亞微米級(jí) | CW-Co-002 | 300 | >99.6 | 10.3 | 1.23 | 球形 | 灰黑色 |
| 加工定制 | 根據(jù)客戶需求適當(dāng)調(diào)整產(chǎn)品純度及粒度 | ||||||
主要特點(diǎn)
納米鈷粉、超細(xì)鈷粉通過可變電流激光離子束氣相法制娑嗤?，顆粒度分布區(qū)間窄，大小可控，溶于酸，有磁性，在潮濕空氣中易氧化，易于分散及工業(yè)化應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
1高密度磁記錄材料利用納米鈷粉記錄密度高、矯頑力高（可達(dá)119.4KA/m）、信噪比高和抗氧化性好等優(yōu)點(diǎn)，可大幅度改善磁帶和大容量軟硬磁盤的性能；
2磁流體 用鐵、鈷、鎳及其合金粉末生產(chǎn)的磁流體性能優(yōu)異，可應(yīng)用于密封減震、醫(yī)療器械、聲音調(diào)節(jié)、光顯示等；
3吸波材料 金屬納米粉體對(duì)電磁波有特殊的吸收作用。鐵、鈷、氧化鋅粉末及碳包金屬粉末可作為軍事用高性能毫米波隱形材料、可見光--紅外線隱形材料和結(jié)構(gòu)式隱形材料，以及手機(jī)輻射屏蔽材料；
4超細(xì)鈷粉用作硬質(zhì)合金、金剛石工具、高溫合金、磁性材料等冶金產(chǎn)品，及可充電池、工業(yè)爆破劑、火箭燃料和醫(yī)藥等化學(xué)制品；
5用于航空、航天、電器、機(jī)械制造、化學(xué)和陶瓷工業(yè)。鈷基合金或含鈷合金鋼用作燃汽輪機(jī)的葉片、葉輪、導(dǎo)管、噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)、火箭發(fā)動(dòng)機(jī)、導(dǎo)彈的部件和化工設(shè)備中各種高負(fù)荷的耐熱部件以及原子能工業(yè)的重要金屬材料。鈷作為粉末冶金中的粘結(jié)劑能保證硬質(zhì)合金有一定的韌性。磁性合金是現(xiàn)代化電子和機(jī)電工業(yè)中不可缺少的材料，用來制造聲、光、電和磁等器材的各種元件。鈷也是磁性合金的重要組成部分。在化學(xué)工業(yè)中，鈷除用于高合金和防腐合金外，還用于有色玻璃、顏料、琺瑯及催化劑、干燥劑等。
技術(shù)支持
公司可以提供納米鈷粉、超細(xì)鈷粉產(chǎn)品在高密度磁記錄材料、磁流體、吸波材料，硬質(zhì)合金、金剛石工具、高溫合金等方面的應(yīng)用技術(shù)支持，具體應(yīng)用咨詢請(qǐng)與銷售部人員聯(lián)系。
包裝儲(chǔ)存
本品為惰氣防靜電包裝，應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜長(zhǎng)久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團(tuán)聚，影響分散性能和使用效果。
納米鈷粉-納米單質(zhì)粉體 http://www.cwnano.com.cn/product-item-33.html
碳納米管商用技術(shù)取得重大突破
碳納米管商用技術(shù)取得重大突破
來源：中國(guó)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報(bào)
IBM的研究人員近期宣布，已經(jīng)攻克了碳納米管生產(chǎn)中的一個(gè)主要挑戰(zhàn)，這將有助于生產(chǎn)出具有商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的碳納米管設(shè)備。
過去幾十年，半導(dǎo)體行業(yè)嘗試向單塊計(jì)算機(jī)芯片中集成更多硅晶體管，從而不斷加強(qiáng)芯片的性能。不過，這一發(fā)展很快就將遭遇物理極限。目前，IBM的研究人員表示，憑借“重要的工程突破”，碳納米管晶體管替代硅晶體管未來將成為現(xiàn)實(shí)。
碳納米管有著良好的電特性和熱特性，從理論上來說可以成為電路的基礎(chǔ)，并帶來更快的速度和更好的能效。不過，生產(chǎn)基于碳納米管晶體管的商用設(shè)備面臨著制造方面的多重挑戰(zhàn)。此次，IBM的研究人員解決了其中一項(xiàng)挑戰(zhàn)：如何將碳納米管與金屬觸點(diǎn)進(jìn)行連接。
IBM的研究人員改變了1個(gè)碳納米管和2個(gè)金屬觸點(diǎn)之間的界面。在制造碳納米管晶體管時(shí)，傳統(tǒng)做法是在碳納米管上進(jìn)行金屬觸點(diǎn)沉積。而目前，IBM的研究人員將金屬觸點(diǎn)置于碳納米管的底部，通過反應(yīng)形成不同的化合物。通過這種方式，IBM的研究人員證明，尺寸小于10納米的金屬觸點(diǎn)不會(huì)影響碳納米管的性能。（目前，硅芯片的頂級(jí)制造工藝為14納米。）
IBM納米管項(xiàng)目研究負(fù)責(zé)人威爾弗雷德·哈恩什表示，新方法的成功意味著，向碳納米管晶體管的電流傳送將不再取決于金屬觸點(diǎn)的長(zhǎng)度。很明顯，這樣的晶體管能實(shí)現(xiàn)足夠小的尺寸。IBM計(jì)劃在2020年之前為碳納米管技術(shù)做好準(zhǔn)備，而這一突破是其中的重要一步。
不過哈恩什承認(rèn)，碳納米管商用還存在其他技術(shù)難題，而此項(xiàng)工作僅僅解決了商用碳納米管面臨的三大挑戰(zhàn)之一。另一個(gè)挑戰(zhàn)在于，納米管有兩種形式：金屬和半導(dǎo)體。只有半導(dǎo)體形式的納米管才能被用于晶體管。因此，工程師需要更好地分離金屬納米管和半導(dǎo)體納米管。還有一大挑戰(zhàn)在于開發(fā)可靠的非光刻工藝，使數(shù)十億個(gè)納米管準(zhǔn)確排布在芯片上。