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多入射角激光橢偏儀
高端研發領域專用的多入射角激光橢偏儀，采用多項專利技術，儀器硬件和軟件具有多項定制功能設計，適用于光面或絨面納米薄膜測量、塊狀固體參數測量、快速變化的納米薄膜實時測量等不同的應用場合。 產品特點： 1.高精度、高穩定性 2.一體化集成設計 3.測量簡單 4.快速、高精度樣品方位對準 5.多角度測量 6.實時測量 7.豐富的材料庫及物理模型 8.強大的數據分析和管理功能 應用領域： 可應用于納米薄膜的幾乎所有領域，如微電子、半導體、生命科學、電化學、顯示技術、磁介質及金屬處理等。可對納米層構樣品的薄膜厚度和折射率n及消光系數k進行快速、高精度、高準確度的測量，尤其適用于科研和工業產品環境中的新品研發及質量監控，可用于表征單層納米薄膜、多層納米層構模系，以及塊狀材料（基底）。
技術指標：
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激光波長
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632.8nm(He-Ne laser)
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膜層厚度精度
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0.01nm(對于Si 基底上110nm 的SiO2 膜層
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折射率精度
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1x10-4 （對于Si 基底上110nm 的SiO2 膜層
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光學結構
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PSCA
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激光光束直徑
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<1mm
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入射角度
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40°-90°可選，步進5°
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樣品方位調整
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三維平移調節；±6.5mm（X-Y-Z三軸）
二維俯仰調節：±4°
光學自準直系統對準
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樣品臺尺寸
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Φ 170mm
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單次測量時間
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0.2s
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推薦測量范圍
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0-6000nm
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最大外形尺寸（長x寬x高）
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887x332x552mm(入射角為90°時
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儀器重量（凈重）
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25kg
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